热活化延迟荧光半导体材料及其制备方法与应用.pdfVIP

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2023-05-13 发布于北京
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热活化延迟荧光半导体材料及其制备方法与应用.pdf

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本发明提供了一种热活化延迟荧光半导体材料及其制备方法与应用，所述半导体材料结构如通式所示X是N或氰基取代的次甲基，D1和D2至少一个取自二芳基氨基、芳基桥联的二芳基氨基、9‑咔唑基、9‑芳基‑咔唑基、芳基或杂环芳基并吲哚基中的一种；R11，R12R21，R22各自独立的取自氢、氘、烷基、芳基、杂芳基等，l、k、m和n取自独立取自0～4的整数且m+n

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114621151 A (43)申请公布日 2022.06.14 (21)申请号 202210305303.9 C09K 11/06 (2006.01)