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本发明公开了一种N型HIBC太阳电池的制备方法，属于太阳电池制备领域，包括：在单晶硅片正面依次形成第一非晶硅钝化层和减反射膜层；在所述单晶硅片的背面采用可分离的硬质掩膜版进行紧贴覆盖，硬质掩膜版采用间隔排列覆盖，在未被硬质掩膜版覆盖的区域形成凸起层；对单晶硅片的背面上硬质掩膜版的覆盖区域进行刻蚀清洗，去除该区域内的晶硅基底，形成凹槽；在凸起层上印刷油墨掩膜材料，以形成油墨保护层；在单晶硅片的背面所有区域均依次形成三种膜；单晶硅片的背面进行清洗，剥离油墨保护层；印刷电极。本发明的优点在于简化制备工
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114649438 A
(43)申请公布日 2022.06.21
(21)申请号 202011496014.9
(22)申请日 2020.12.17
(71)申请人 浙江爱旭太阳能科技有限公司
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