ITO透明导电层蚀刻方法和LED芯片及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-13 发布于四川
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ITO透明导电层蚀刻方法和LED芯片及其制作方法.pdf

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本发明提供一种ITO透明导电层蚀刻方法和LED芯片及其制作方法，ITO透明导电层蚀刻方法包括：在ITO透明导电层上设置光刻胶层，对光刻胶层进行光刻，以露出ITO透明导电层的待蚀刻区域；对待蚀刻区域进行等离子清洁处理后，进行n次蚀刻(ITO蚀刻)，n为等于或大于2的整数；其中，按照从第1次蚀刻至第n次蚀刻的顺序，所用的蚀刻液浓度、蚀刻时间均逐次降低，本发明能够较为彻底地蚀刻掉ITO透明导电层需要蚀刻的区域的ITO，并易于控制蚀刻角度，提高LED芯片的光电性能。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114649457 A (43)申请公布日 2022.06.21 (21)申请号 202210204898.9 (22)申请日 2022.03.02 (71)申请人江西圆融光电科技有限公司地址 3