一种闪存芯片数据读取方法.pdfVIP

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2023-05-13 发布于四川
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一种闪存芯片数据读取方法.pdf

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一种闪存芯片数据读取方法，本方法针对数据写入时环境温度与数据读出时环境温度相差大于设定阈值T1的变温场景，当默认读电压读出数据时的误码数大于硬译码可以纠正的极限时，纠错码就无法正确纠正变温效应产生的误码，此时利用预置在固件中的不同情况下的最优读电压温度偏移参数结合当前读写温差计算最优读电压，使用计算得出的最优读电压进行读取，如果纠错码依然无法纠正全部误码，则利用默认读电压和最优读电压读出的数据计算LLR值并启动软译码，提高纠错码的纠错成功概率。本方法以较少的读取次数，找到最优读电压档位，降低变温

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114639436 A (43)申请公布日 2022.06.17 (21)申请号 202210243926.8 (22)申请日 2022.03.10 (71)申请人山东大学地址 250100 山