一种高性能底栅底接触聚合物场效应晶体管的制备方法.pdfVIP

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2023-05-13 发布于北京
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一种高性能底栅底接触聚合物场效应晶体管的制备方法.pdf

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本发明公开了一种高性能底栅底接触聚合物场效应晶体管的制备方法，所述的晶体管器件包括：衬底、绝缘层、半导体层和源漏电极，所述的制备方法首先以蒸镀的方式在绝缘层上方蒸镀形成源漏电极，继而通过旋涂的方式在其上方形成半导体层；当选用IDT‑BT作为有源半导体层时，源漏电极的厚度为20‑30nm，当选用DPPT‑TT作为有源半导体层时，源漏电极的厚度为40‑50nm。本发明的发明人经过大量实验，发现通过固定半导体层的厚度，并调整源漏电极的厚度，会影响底栅底接触聚合物场效应晶体管的性能，发明人通过使用蒸镀仪

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114665020 A (43)申请公布日 2022.06.24 (21)申请号 202210299035.4 (22)申请日 2022.03.25 (71)申请人南京邮电大学