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2023-05-13 发布于四川
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半导体器件.pdf

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一种半导体元件，包括设置在衬底上的多个半导体结构、第一导电图案、第一杂质区、栅极绝缘图案、第二导电图案以及第二杂质区。每个半导体结构包括具有沿第一方向延伸的线性形状的第一半导体图案和沿竖直方向从第一半导体图案的上表面突出的第二半导体图案。半导体结构沿与第二方向垂直的第一方向彼此间隔开。第一导电图案形成在第一半导体图案之间第一杂质区形成在第一半导体图案中与第二半导体图案的第一侧壁相邻的开口中第一杂质区包括杂质扩散阻挡图案和掺杂有杂质的多晶硅图案。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114649333 A (43)申请公布日 2022.06.21 (21)申请号 202111224245.9 (22)申请日 2021.10.20 (30)优先权数据 10-2020-0178360