一种MEMS器件及其制备方法、电子装置.pdfVIP

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2023-05-13 发布于四川
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一种MEMS器件及其制备方法、电子装置.pdf

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本申请公开了一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述制备方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成振膜；执行第一退火步骤；在所述振膜上形成牺牲材料层，以覆盖所述振膜；在所述牺牲材料层上形成背板；执行第二退火步骤；去除所述振膜与所述背板之间的所述牺牲材料层，以形成空腔。所述方法通过多道退火步骤结合分开调整各层的应力，达到目前淀积条件调整方法无法达到的各层应力要求同时提高工艺的稳定性和窗口，所述方法还可以将膜层的形成条件一致化，提高炉管的产能利用率。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114655919 A (43)申请公布日 2022.06.24 (21)申请号 202011546984.5 (22)申请日 2020.12.23 (71)申请人无锡华润上华科技有限公司地址 2