硅片的碱抛光方法、PERC电池及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-13 发布于北京
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硅片的碱抛光方法、PERC电池及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种硅片的碱抛光方法、PERC电池及其制备方法。该硅片的碱抛光方法包括：前清洗、碱抛光、后清洗、酸洗、慢提拉及干燥步骤。其中第一批次的碱抛光处理中的碱抛液为初始碱抛液，第n批次的碱抛光处理的碱抛液通过在第n‑1批次的碱抛液添加补液制得。初始碱抛液包括体积比为(320～340)：(9.5～12.5)：(2.5～3.5)的水、碱液及碱抛添加剂；补液中水、碱液及碱抛添加剂的比例为(5.5～6.5)：(0.24～0.28)：(0.17～0.20)。通过调整碱抛液的配方，上述硅片的碱抛光方法中硅

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114628252 A (43)申请公布日 2022.06.14 (21)申请号 202210231922.8 C09G 1/04 (2006.01) (22)申请日 2022.03.0