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本发明公开了一种增益平坦的宽光谱光电探测器及其制备方法,该光电探测器由下向上依次包括硅衬底和光有源区,所述光有源区包括双层碳薄膜及置于双层碳薄膜之间的表面等离激元结构,所述双层碳薄膜之间形成范德瓦尔兹异质结,底部碳薄膜成型于硅衬底上,顶部碳薄膜包覆所述底部碳薄膜,所述硅衬底的顶部两侧分别成型有源极和漏极,且所述源极和漏极与顶部碳薄膜接触,所述硅衬底的背部成型有背栅电极。所制备的光电探测器解决了现有碳基宽光谱探测器响应度低,响应曲线随波长波动大,增益不平坦的问题。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114649426 A
(43)申请公布日 2022.06.21
(21)申请号 202210141417.4
(22)申请日 2022.02.16
(71)申请人 上海航天科工电器研究院有限公司
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