一种半导体钽靶材及其锻造方法.pdfVIP

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2023-05-13 发布于四川
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一种半导体钽靶材及其锻造方法.pdf

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本发明属于靶材锻造技术领域，公开了一种半导体钽靶材及其锻造方法。取钽锭在变形量20％～40％，单次变形量控制在≤10％的多道次小变形量条件下镦粗拔长，然后酸洗，将酸洗后的钽锭在1250～1400℃进行第一次真空热处理；再次重复镦粗拔长和酸洗后在950～1150℃温度下进行第二次真空热处理；再次重复镦粗拔长、酸洗和950～1150℃真空热处理两次，得到所述半导体钽靶材。本发明通过四次镦粗拔长锻造方式，采用合理的多道次小变形量，压实了疏松组织，焊合了微观孔洞，增大钽靶坯的致密度。所得半导体钽靶材的平

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114645253 A (43)申请公布日 2022.06.21 (21)申请号 202210234356.6 B21J 5/00 (2006.01) (22)申请日 2022.03.0