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本申请提供一种半导体器件、制备方法及存储系统，半导体器件包括存储平面，存储平面包括叠层结构。叠层结构包括第一部分和第二部分，其中第一部分位于每个存储平面的边缘，并包括沿第一方向交替叠置的第一电介质层和第二电介质层，第二部分包括沿第一方向交替叠置的第一电介质层和栅极导电层。在存储平面边缘保留的电介质堆叠结构可使三维存储器的结构更稳固，此外通过仅在叠层结构的第二部分形成栅极导电层，可减少刻蚀工作量和相应的热过程，由此减少了应力的改变，相应减少了因半导体器件边缘应力过大发生形变而导致的漏电情况，提高了
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116053310 A
(43)申请公布日 2023.05.02
(21)申请号 202211095060.7
(22)申请日 2022.09.05
(71)申请人 长江存储科技有限责任公司
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