半导体结构及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-13 发布于四川
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半导体结构及其制造方法.pdf

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本发明提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：半导体层中并列设置且被第一介质层间隔的第一晶体管和第二晶体管；第一晶体管、第二晶体管均包括：沟道区；源极；漏极；栅极；第一掺杂区，位于第一晶体管中和/或第二晶体管中从与第一介质层接触的侧面向栅极方向延伸预设尺寸的区域，且第一掺杂区的掺杂类型与源极和漏极的掺杂类型均不同。本发明实施例中，当第一晶体管和第二晶体管中的其中一个晶体管被导通时，被导通的晶体管的沟道区变成高压，通过设置第一掺杂区，可以使得电子不易通过被导通的晶体管的沟道区向第一介质层移

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114649336 A (43)申请公布日 2022.06.21 (21)申请号 202210172063.X (22)申请日 2022.02.24 (71)申请人长江存储科技有限责任公司地址 4