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本发明实施例属于半导体制作技术领域，涉及一种半导体结构制作方法及半导体结构，用于解决在蚀刻介质层的过程中，粗糙的顶面容易造成离子散射，形成的电容孔洞尺寸精度差，影响电容结构性能的问题。该半导体结构制作方法，在基底上形成膜层结构，在膜层结构上形成图形转移层，图形转移层上定义多个孔洞，并对图形转移层进行平坦化处理；通过孔洞蚀刻膜层结构，以在膜层结构中形成电容孔洞；在形成电容孔洞之前，对图形转移层的顶面进行了平坦化处理，在进行蚀刻的过程中，平坦的图形转移层顶面可以避免发生离子散射，进而避免形成的电容孔
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113053899 A
(43)申请公布日 2021.06.29
(21)申请号 202110269758.5
(22)申请日 2021.03.12
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
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