集成电路及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-14 发布于四川
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集成电路及其制造方法.pdf

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一种具有外延源极与漏极的集成电路被提供，其可降低栅极烧毁并提高开关速度，因而适合于高电压的应用。此集成电路包括具有高电压N型阱高电压P型阱的半导体基板。此集成电路亦包括高电压装置位于该半导体基板之上。此高电压装置包括外延P型源极设置于高电压N型阱中，外延P型漏极设置于高电压P型阱中，以及栅极位于半导体基板的表面上的外延P型源极与外延P型漏极之间。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114664741 A (43)申请公布日 2022.06.24 (21)申请号 202210367963.X (22)申请日 2017.11.28 (30)优先权数据