半导体结构的制造方法和半导体结构.pdfVIP

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2023-05-14 发布于四川
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半导体结构的制造方法和半导体结构.pdf

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本发明提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构，涉及半导体制造技术领域，旨在解决目前功函数调节层中的氮化钛层易被氧化，导致的层间电阻值增加，影响半导体结构性能的问题。该半导体结构的制造方法包括提供衬底；在衬底上形成堆栈层；其中，堆栈层包括依次层叠设置的界面层、高介电常数层和功函数复合层；在堆栈层上形成过渡层；在过渡层上形成金属栅极层。其中，功函数复合层通过物理气相沉积法制备。本发明能够有效缓解功函数调节过程中，所使用的功函数调节层中的部分材料易发生氧化的问题，从而减小半导体结构中的层间电阻值，有

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114695097 A (43)申请公布日 2022.07.01 (21)申请号 202011622576.3 H01L 21/8242 (2006.01)