近红外低铅卤族钙钛矿光电材料及制备方法和应用.pdfVIP

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2023-05-14 发布于四川
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近红外低铅卤族钙钛矿光电材料及制备方法和应用.pdf

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本发明公开了一种近红外低铅卤族钙钛矿光电材料及制备方法和应用，本发明近红外低铅卤族钙钛矿光电材料，包括电极、空穴传输层、电子传输层和发光层；其特征在于：所述的发光层材料，其结构为ABX3，A为Cs、EA、FA、MA四种中的一种或多种，其中B为Pb、Sn、Ge、Mn、Zn、Cd、Co、Cu、Ni中的一种或多种，X为Cl、Br、I中的一种或多种；本发明通过旋涂方法在ITO玻璃上旋涂了电子传输层ZnO/PEIE、钙钛矿发光层和空穴传输层TFB而后使用热蒸镀的方法蒸镀电极MoO3/Au。在保证电致发光效

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114678486 A (43)申请公布日 2022.06.28 (21)申请号 202210425821.4 H01L 51/42 (2006.01)