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本发明实施例公开了一种三维相变存储器及其制造方法，所述制造方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括存储区和对准区，所述存储区包括沿第三方向依次层叠分布的下层第一导电线和下层相变存储单元结构体，所述下层第一导电线与所述下层相变存储单元结构体沿与所述第三方向垂直的第一方向延伸；在所述对准区内形成第一沟槽；沉积下层第二导电线材料层，所述下层第二导电线材料层覆盖所述半导体结构的表面并填充所述第一沟槽；沿与所述第一方向相交的第二方向刻蚀所述下层相变存储单元结构体和所述下层第二导电线材料层，以在所述存储
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114678390 A
(43)申请公布日 2022.06.28
(21)申请号 202210288193.X
(22)申请日 2022.03.22
(71)申请人 长江先进存储产业创新中心有限责
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