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本发明涉及模拟集成电路领域，具体涉及一种低功耗的MOS管温度传感器电路。本发明根据MOS管的亚阈区特性，将工作在相等的栅极电压下的两个相同的NMOS管MA1和MB1给予不同的漏源电压，得到与温度相关的不同大小的电流值，对这两条支路I1和I2的电流作比，然后进行两点校正处理，得到该电路的温度误差值。由于本发明当输入特定的电源电压时，可以使电路模块的MOS管均工作在亚阈区，且输出感温电流受工艺偏差的影响较小；输出电流可以通过电流镜结构复制输出到所需要的其他模块里区，且本电路的器件工作均在亚阈区，能够
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114690843 A
(43)申请公布日 2022.07.01
(21)申请号 202210154881.7
(22)申请日 2022.02.21
(71)申请人 电子科技大学
地址 611731
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