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本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种悬空碳纳米管场效应晶体管及其制备方法。本发明目的在于解决碳纳米管场效应管由于喷印碳纳米管墨水作为一种非接触式的直接印制方式，涂覆的沟道材料与两电极的接触电阻较大的问题。该器件自下而上包括背栅电极，高κ栅介质层，漏电极，源电极以及有源沟道层。主要方案包括在洁净的基板正面制备漏电极、源电极以及反面的背栅电极，并通过电子束蒸镀法制备纳米银导电薄膜，并喷印一层半导体性碳纳米管形成晶体管的有源沟道层，最后通过高温退火处理烧结纳米银薄膜使沟道层的纳米银薄膜坍缩，形成
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113193115 A
(43)申请公布日 2021.07.30
(21)申请号 202110548713.1
(22)申请日 2021.05.19
(71)申请人 电子
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