一种改善芯片铝焊盘氧化的方法.pdfVIP

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2023-05-14 发布于四川
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一种改善芯片铝焊盘氧化的方法.pdf

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本发明公开了一种改善芯片铝焊盘氧化的方法，具体的方法及工艺流程包括以下过程：S1:CoverET刻蚀AlPAD；S2:湿法清洗pad去除残留物；S3:跳过氧气表面处理直接进入Finalalloy过程；S4:最后再进行一次表面清洗去除表面氟；本发明通过优化传统芯片CoverETloop工艺流程，从而减少芯片Alpad表面含氟氧化物产生，进而提高芯片键合质量和可靠性。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114709139 A (43)申请公布日 2022.07.05 (21)申请号 202111509016.1 (22)申请日 2021.12.10 (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司地址