一种基于厚Si3N4材料的低插入损耗、大带宽紧凑型多模干涉耦合器.pdfVIP

一种基于厚Si3N4材料的低插入损耗、大带宽紧凑型多模干涉耦合器.pdf

  1. 1、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。。
  2. 2、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
  3. 3、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明公开了一种基于厚Si3N4材料的低插入损耗、大带宽紧凑型多模干涉耦合器,包括基于厚Si3N4材料的单条形锥形渐变输入波导、多模干涉区域、锥形渐变输出波导。本发明可实现入射光由一端口分配到两个输出波导,形成一分二功分器或二合一耦合器,适用于微波光子滤波与整形、双光梳技术、光学相干断层扫描技术、光通讯收发模块、光计算等氮化硅集成光路光学器件系统中,具有尺寸紧凑、耦合效率高、大带宽、低插损等优点。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114690313 A (43)申请公布日 2022.07.01 (21)申请号 202210440234.2 (22)申请日 2022.04.25 (71)申请人 东南大学 地址 211189

文档评论(0)

知识产权出版社 + 关注
官方认证
服务提供商

提供农业、铸造、给排水、测量、发电等专利信息的免费检索和下载;后续我们还将提供提供专利申请、专利复审、专利交易、专利年费缴纳、专利权恢复等更多专利服务。并持续更新最新专利内容,完善相关专利服务,助您在专利查询、专利应用、专利学习查找、专利申请等方面用得开心、用得满意!

版权声明书
用户编号:7160061112000031
认证主体北京中献电子技术开发有限公司
IP属地四川
统一社会信用代码/组织机构代码
91110108102011667U

1亿VIP精品文档

相关文档