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本发明公开了一种磁性存储单元的制备方法，通过在预设的自旋轨道矩金属基体前置物表面，向外依次设置磁性自由层、绝缘隧道层、磁性参考层及掩膜层，得到待刻蚀单元；对所述掩膜层、所述磁性参考层、所述绝缘隧道层及所述磁性自由层进行刻蚀，得到包括柱状外延层的刻蚀工件；在所述刻蚀工件表面设置保护层；对设置保护层后的自旋轨道矩金属基体前置物进行定向氧离子处理；对所述外围氧化层进行表面还原；去除所述存储单元预置物的掩膜层上方的保护层，得到磁性存储单元。本发明避免了现有技术中直接生产目标厚度的自旋轨道矩金属基体厚度均
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114695648 A
(43)申请公布日 2022.07.01
(21)申请号 202011584035.6
(22)申请日 2020.12.28
(71)申请人 浙江驰拓科技有限公
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