半导体外延结构和半导体器件.pdfVIP

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2023-05-14 发布于四川
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半导体外延结构和半导体器件.pdf

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本发明的实施例提供了一种半导体外延结构和半导体器件，涉及微电子领域，该半导体外延结构包括衬底和位于衬底一侧的半导体层，半导体层包括缓冲层，其中，缓冲层中掺杂有铁原子，且缓冲层中远离衬底的一侧表面处的铁原子的掺杂浓度小于缓冲层中其他位置处的铁原子的掺杂浓度。通过在缓冲层中渐变降低掺Fe浓度的方式，从而形成梯度浓度，并使得缓冲层上与沟道层的界面处Fe的浓度得以降低，有效减缓了Fe杂质进入沟道层引起杂质散射从而降低二维电子浓度和电子迁移率的情况，同时缓冲层中的厚度和Fe掺杂浓度可控，提高了生产的稳定性

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114678420 A (43)申请公布日 2022.06.28 (21)申请号 202111312509.6 H01L 29/20 (2006.01)