一种PVT法制备碳化硅装置及制备工艺.pdfVIP

下载本文档

4
0
约1.29万字
约 13页
2023-05-14 发布于四川
举报
版权申诉

一种PVT法制备碳化硅装置及制备工艺.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明公开一种PVT法制备碳化硅装置及制备工艺，涉及碳化硅生产技术领域，主要包括炉体、保温层、生长坩埚、原料坩埚和多孔透气层；炉体内设置有保温层，保温层内设置有生长坩埚，原料坩埚位于生长坩埚内，多孔透气层设置于原料坩埚的顶部敞口处；炉体与一炉体真空系统相连通，生长坩埚底部与一坩埚真空系统相连通。坩埚完全密封，保证富硅气氛不会刻蚀坩埚及外部保温材料，保证外来杂质不会进入生长坩埚，减少微管、碳包裹等缺陷产生；延长使用寿命的同时降低了成本；原料坩埚上部放置多孔透气层，将原料坩埚置于生长坩埚上部，吸附富

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114686969 A (43)申请公布日 2022.07.01 (21)申请号 202210365694.3 (22)申请日 2022.04.08 (71)申请人北京清研半导科技有限公司地址 1