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本发明公开了对电子级多晶硅进行清洗的方法。该方法包括：(1)对硅块进行至少两次水洗；(2)利用混酸溶液对水洗后的硅块进行清洗，混酸溶液包括质量浓度为0.1～1wt％的氢氟酸、质量浓度为1～10wt％的乙酸，以及质量浓度为68～72wt％的硝酸；(3)对酸洗后的硅块依次进行至少三次水洗和至少一次喷淋洗。由此，该方法操作简单、方便，可重复，成本低廉，不仅可以显著提高硅块的稳定清洗效果，降低硅块表面的杂质浓度，使得清洗后的硅块产品的清洁度更高，还可以提高硅块表面形态的均匀性，避免硅块表面斑纹、斑点的产
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114653658 A
(43)申请公布日 2022.06.24
(21)申请号 202210376804.6
(22)申请日 2022.04.11
(71)申请人 江苏鑫华半导体科技
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