存储器件及制备方法、读写方法、存储芯片、电子设备.pdfVIP

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2023-05-14 发布于北京
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存储器件及制备方法、读写方法、存储芯片、电子设备.pdf

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本申请实施例提供一种存储器件及制备方法、读写方法、存储芯片、电子设备，涉及存储技术领域，用于解决自旋轨道力矩‑磁性随机存储器存储态增多，存储态变化区间不变的问题。存储器件，包括：依次层叠设置的第一磁性隧道结、自旋轨道耦合层以及第二磁性隧道结。第一磁性隧道结包括第一自由层，第二磁性隧道结包括第二自由层。第一自由层和第二自由层设置在自旋轨道耦合层相对的两个表面上。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114695650 A (43)申请公布日 2022.07.01 (21)申请号 202011631814.7 (22)申请日 2020.12.31 (71)申请人华为技术有限公司