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本发明提供一种自对准成像工艺剪切层刻蚀偏差的测量方法，设计测试图形，主版图包括在X方向等间距分布、在Y方向以相差固定偏移量依次分布的牺牲层图形和多行沿着X，Y方向等间距分布的剪切层图形。每一列相邻的两个牺牲层图形在Y方向的周期与剪切层图形的周期一致。将该测试图形转移至光罩上，经过一系列光刻和刻蚀等工艺后，利用大场检测工具进行检测，通过正好被完全剪切掉的fin结构和刚刚被剪切到的fin结构的位置来确定刻蚀后图形的边界。本发明准确地确定剪切层AEICD的边界，从而确定刻蚀偏差，为光学临近效应校正/
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114695121 A
(43)申请公布日 2022.07.01
(21)申请号 202210170172.8
(22)申请日 2022.02.24
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
地址
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