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- 2023-05-14 发布于四川
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本申请提供了包含一个或多个正电荷薄层或包含具有特定厚度的交替堆叠的AlGaN势垒和AlGaN势阱的异质结构。还提供了多量子阱结构和p型接触。所述异质结构、多量子阱结构和p型接触可用于发光器件和光电探测器。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111668351 A
(43)申请公布日
2020.09.15
(21)申请号 20201
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