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- 2023-05-15 发布于四川
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一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：晶圆，包括衬底和位于衬底内的掩埋电源轨；通孔，位于晶圆背面的衬底中且暴露出掩埋电源轨；电容结构，位于通孔内，包括位于通孔的底部和侧壁上的第一电极、与第一电极侧壁相对设置的第二电极、以及位于第一电极和第二电极之间的电容介质层，第一电极与掩埋电源轨相接触；第一电源线，位于晶圆的背面上且与第一电极电连接；第二电源线，位于晶圆的背面上且与第二电极电连接。电容结构位于通孔内，能够增大单位面积上的电容密度和电容值，有利于提高电容结构对供电电源的滤波效果，且第一电极
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114725058 A
(43)申请公布日 2022.07.08
(21)申请号 202110009020.5 H01L 21/768 (2006.01)
(22)申请日 2021.01
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