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本发明提出了一种通过光电响应获得低维纳米器件物理参数的设备，包括：光源，用于照射低维纳米器件；电流检测单元，用于检测所述低维纳米器件在不同光强照射下产生的光电流，以及检测所述低维纳米器件在无光源照射下产生的暗电流；光强与电流关系获取单元，用于获取不同光强与相应光电流之间的关系；参数获取单元，用于根据所述光强与电流关系对已有的光照强度和纳米器件光电流之间关系的公式进行拟合从而获取参数和的值；以及计算单元，用于根据所述参数及其他已有公式计算获得低维纳米器件物理参数，所述物理参数包括少数载流子寿命τ0
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114740322 A
(43)申请公布日 2022.07.12
(21)申请号 202210042436.1
(22)申请日 2022.01.14
(71)申请人 上海交通大学
地址 200240
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