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SOI基板的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-15 发布于四川
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SOI基板的制造方法.pdf

    本发明涉及SOI基板的制造方法，SOI基板的制造方法包括以下步骤：(a)在第一单晶硅基板的一面上形成硅剥离层；(b)在硅剥离层上形成单晶硅外延层；(c)在单晶硅外延层的一面上形成多个阴刻图案；(d)在阴刻图案和单晶硅外延层上形成绝缘层；(e)在绝缘层的表面上接合形成有氧化层的第二单晶硅基板；(f)通过向硅剥离层施加能量，将第一单晶硅基板分离并去除；(g)从单晶硅外延层的另一面向一面方向缩减厚度的同时进行去除。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114725003 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202111550729.2 (22)申请日 2021.12.17 (30)优先权数据 10-2021-0001863

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