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- 2023-05-15 发布于四川
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本申请公开了半导体器件。本发明的各个实施例提供了能够通过在晶片的划线上设置凹口图案来使致裂应力集中以提高晶片的可分割性的半导体器件。此外，本发明的实施例提供了能够通过局部地去除划线中的金属薄膜并使分割能量沿裸片表面的垂直方向传播来提高晶片的可分割性的半导体器件。该半导体器件包括：在晶片中彼此间隔开的裸片区；被设置在相邻的裸片区之间并被金属材料层覆盖的划线区；以及一个或更多个开放区域，其被设置在每个划线区中并通过局部去除金属材料层而形成，其中每个开放区域包括指示划线区延伸的方向的一个或更多个凹口图
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114725067 A
(43)申请公布日 2022.07.08
(21)申请号 202110865012.0
(22)申请日 2021.07.29
(30)优先权数据
10-2021-0001448
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