一种范德瓦尔斯异质结型存储器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-15 发布于四川
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一种范德瓦尔斯异质结型存储器件及其制备方法.pdf

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本发明公开一种范德瓦尔斯异质结型存储器件及其制备方法，属于微纳器件磁存储领域。异质结的下层为二维磁性拓扑绝缘体，上层为二维铁磁绝缘体。本发明基于Si/SiO2衬底，通过机械剥离和干法转移技术制备所述异质结。在电学测量中，通过施加不同的极化磁场或磁场扫描过程，利用电学输运性质测量可以得到幅值不变、稳定调节的磁交换偏置输运曲线，并且在很高的磁场下仍然保持稳定状态。本发明这种稳定且可控的交换偏置现象有利于未来发展基于磁随机存储原理的低维纳米芯片。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116033821 A (43)申请公布日 2023.04.28 (21)申请号 202310032710.1 H10N 50/01 (2023.01)