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高电子迁移率晶体管及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-05-15 发布于四川
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高电子迁移率晶体管及其制作方法.pdf

    本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该制作高电子迁移率晶体管的方法为，首先形成一缓冲层于基底上，然后进行一现场掺杂制作工艺以形成第一含氟层于缓冲层上，形成一阻障层于第一含氟层上，形成第二含氟层于阻障层上，形成一栅极电极于第二含氟层上，再形成一源极电极以及一漏极电极于该栅极电极两侧。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114725211 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202110002380.2 (22)申请日 2021.01.04 (71)申请人 联华电子股份有限公司 地址 中国台

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