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- 2023-05-15 发布于四川
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本发明提供一种应用于大规模SPAD集成阵列的淬灭电路。该电路通过限制雪崩二极管的雪崩电流,有效的减小工作电流,降低功耗,并且能够快速抑制二极管的雪崩效应,减小死区时间,提高工作速度。该电路架构简单,利用少量MOSFET(金属‑氧化物半导体场效应晶体管,即金氧半场效晶体管,简称MOSFET)实现电路的全部功能,有效减小电路所占面积,并且工作电流得到有效限制,有利于实现单光子雪崩二极管的大规模集成。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114719973 A
(43)申请公布日 2022.07.08
(21)申请号 202110009263.9
(22)申请日 2021.01.05
(71)申请人 苏州超锐微电子有限公司
地址 21
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