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一种硅基高电子迁移率晶体管及其制备方法.pdfVIP

一种硅基高电子迁移率晶体管及其制备方法.pdf

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    本发明公开了一种硅基高电子迁移率晶体管及其制备方法，涉及半导体工艺技术领域，该硅基高电子迁移率晶体管包括：衬底；所述衬底上依次设有AlN成核层、高阻缓冲层、沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层；其中，所述AlN成核层包括粗化处理后的第一高温AlN成核层及第二高温AlN成核层，所述第一高温AlN成核层设于所述衬底上。第一高温AlN成核层能有效的阻挡衬底中的杂质，对第一高温AlN成核层进行表面粗化处理，能释放衬底与外延层之间的应力，在粗化处理后的第一高温AlN成核层上设有第二高温Al

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114709261 A (43)申请公布日 2022.07.05 (21)申请号 202210295895.0 H01L 29/10 (2006.01)

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