一种处理半导体激光器的方法.pdfVIP

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  • 2023-05-15 发布于四川
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本发明公开了一种处理半导体激光器的方法,该方法包括:在半导体激光器的制备过程中,利用预设辐照源对半导体激光器进行辐照处理,以提高所述半导体激光器的调制带宽,其中,所述辐照源为粒子辐照源。通过在半导体激光器的制备过程中,利用预设辐照源对半导体激光器进行辐照处理,从而实现在不影响半导体激光器其他性能的情况下,以更为简单和低成本的方法,提高半导体激光器的调制带宽,有利于优化半导体激光器的动态性能。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114724937 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202110008867.1 (22)申请日 2021.01.05 (71)申请人 中国科学院微电子研究所 地址 10

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