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本发明公开了一种存储电容可灵活配置的iTOF像素电路，相对于传统iTOF像素电路所采用的存储节点串联在像素电路中，导致像素存储节点设计复杂，同时存储晶体管电压配置也受限的问题，将该电路的像素存储电容采用并联方式接入像素电路中，采用该架构的像素可以减少存储节点设计的复杂性，同时电容电压可以灵活配置，从而实现存储电容的灵活配置，极大的优化了iTOF像素结构，方便像素版图设计，扩展了像素的应用范围；SGN上方取消了用于开启沟道硅栅SG,这保证SGN中形成的电势平坦，电荷转移通道上电势始终单调。同时，S
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116031268 A
(43)申请公布日 2023.04.28
(21)申请号 202211655074.X G01S 17/36 (2006.01)
(22)申请日 2022.12.
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