半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-05-15 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

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一种半导体结构及其形成方法，其方法包括：在部分所述存储区上形成第一栅极层，所述第一栅极层沿第一方向延伸，且沿第二方向排列，所述第一方向与所述第二方向垂直；在所述外围区上形成第二栅极层，所述第二栅极层沿第一方向延伸，且沿第二方向排列，在沿所述第二方向上，相邻的所述第二栅极层之间的具有第一距离值，相邻的所述第一栅极层之间具有第二距离值，所述第一距离值大于所述第二距离值；以所述第一栅极层和所述第二栅极层为掩膜，刻蚀所述衬底，在所述存储区内形成有源区和相邻有源区之间的第一沟槽，在所述外围区形成第二沟槽，

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116113239 A (43)申请公布日 2023.05.12 (21)申请号 202111315484.5 H10B 41/41 (2023.01) (22)申请日 2021.11.