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- 2023-05-15 发布于四川
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本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构的形成方法包括：提供衬底，所述衬底上设置有电介质层，所述电介质层具有沟槽；形成填充所述沟槽的金属铜层；在所述金属铜层的上表面形成接触层，所述接触层的材料含有亚铜离子；在所述接触层的上表面形成阻挡层，所述阻挡层的材料和所述接触层的材料含有相同的元素。本发明实施例有利于改善金属铜层与阻挡层的接触效果。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114725006 A
(43)申请公布日 2022.07.08
(21)申请号 202110003498.7
(22)申请日 2021.01.04
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
地址 230
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