半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-15 发布于四川
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半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法，包括：提供衬底；于衬底的表面形成图形化掩膜层；提供氢化物气相外延设备；将形成有图形化掩膜层的衬底置于衬底区；经由第一供气管路向镓舟区提供包括氯化氢的第一反应气体，并经由第二供气管路向衬底区提供包括氨气的第二反应气体，以形成氮化镓晶种层；停止向镓舟区提供第一反应气体，并停止向衬底区提供所述第二反应气体，经由第三供气管路向衬底区提供包括氯化氢的第三反应气体，以将位于晶粒区域的氮化镓晶种层完全去除，或使得氮化镓晶种层位于晶粒区域的厚度小于氮化镓晶种

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114743862 A (43)申请公布日 2022.07.12 (21)申请号 202210240339.3 C23C 16/30 (2006.01) (22)申请日 2022.03.