一种铜互连层及铜互连层大马士革工艺方法.pdfVIP

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2023-05-15 发布于四川
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一种铜互连层及铜互连层大马士革工艺方法.pdf

本发明提供一种铜互连层及铜互连层大马士革工艺方法。形成铜互连线的通孔及沟槽的侧壁和底部形成有阻挡层，该阻挡层包含金属晶体粘附层或者包含石墨烯层。金属晶体粘附层可以晶体Co层或者晶体Ru层或者晶体Os层。金属晶体粘附层能够增强与Cu的粘附性，有效抑制Cu向介质层中扩散，有利于提高Cu的电子迁移性能。上述金属晶体粘附层的形成能够有效减小阻挡层和第一阻挡层的总体厚度，有效降低通孔电阻。石墨烯层为无定型碳/石墨烯复合层。由于石墨烯层的形成，使得Cu互连层具有更低的电阻率石墨烯层的形成同样能够有效减小阻挡

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114725007 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202110005987.6 (22)申请日 2021.01.05 (71)申请人芯恩（青岛）集成电路有限公司地址

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