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本发明涉及在半导体器件制造中使用的半导体晶片清洗用组合物及利用其的半导体晶片清洗方法,本发明的半导体晶片清洗用组合物由以化学式1及化学式2形成的表面活性剂、无机酸或有机酸、余量的水组成,本发明的半导体晶片清洗方法是使半导体晶片浸渍于清洗用组合物100至500秒的方法。根据本发明的清洗用组合物及清洗方法在半导体器件制造用晶片表面的研磨工艺中,提供针对污染物质,特别是,对有机蜡显著增大的去除效率及有效的清洗力,从而使晶片表面高度清洁,表现出能够制造高可靠度的半导体元件的效果。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113544248 A
(43)申请公布日 2021.10.22
(21)申请号 202080019528.7 (74)专利代理机构 北京青松知识产权代理事务
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