1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

形成具有阈值开关器件的半导体器件的方法.pdfVIP

  • 7
  • 0
  • 约2.39万字
  • 约 25页
  • 2023-05-16 发布于四川
  • 举报

形成具有阈值开关器件的半导体器件的方法.pdf

    本发明公开了一种形成包括存储单元阵列的半导体器件的方法，该方法可以包括对存储阵列的一个或更多个存储单元执行开关烧制操作从而导致与存储单元中的阈值开关器件相关的阈值电压分布被减小。开关器件烧制操作可以被执行使得阈值电压分布被减小同时保持所述一个或更多个阈值开关器件处于非晶态。对阈值开关器件执行开关器件烧制操作可以包括加热阈值开关器件、施加电压到阈值开关器件、施加电流到阈值开关器件、其一些组合等等。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 107689242 A (43)申请公布日 2018.02.13 (21)申请号 20171

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >