一种半导体干刻设备部件的制作工艺.pdfVIP

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2023-05-16 发布于四川
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一种半导体干刻设备部件的制作工艺.pdf

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本发明公开了一种半导体干刻设备部件的制作工艺，包括以下步骤：根据干刻设备部件的尺寸要求制作基材，并清洗；通过阳极氧化工艺；对经过阳极氧化工艺后的基材进行遮蔽；对基材上未遮蔽的区域进行喷砂；对基材上喷砂后的区域进行干冰喷砂；对基材上进行干冰喷砂后的区域进行等离子熔射；用砥石对基材熔射后的表面进行打磨；用干冰对基材熔射后打磨的表面进行干冰喷砂；对干冰喷砂后的部件进行清洗。本发明提高设备部件抗等离子侵蚀的性能，减少设备部件表面的尖端突起，提高部件表面的清洁度，减少干刻过程颗粒物的产生，提高设备部件的使

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114774918 A (43)申请公布日 2022.07.22 (21)申请号 202210439348.5 C23C 4/10 (2016.01)