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半导体结构的形成方法.pdfVIP

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  • 2023-05-16 发布于四川
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半导体结构的形成方法.pdf

    一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底内具有第一导电层；在基底上形成第一介质层，第一介质层内具有第一开口，且第一开口暴露出第一导电层；采用第一选择性沉积工艺，在第一开口内形成第一插塞材料层，且第一插塞材料层顶部表面低于第一介质层顶部表面；形成所述第一插塞材料层之后，对所述第一介质层进行离子注入工艺，减小所述第一插塞材料层和第一介质层之间的间隙；所述离子注入工艺之后，对所述第一介质层暴露出的表面进行修复处理；所述修复处理之后，采用第二选择性沉积工艺，在所述第一开口内的第一插塞材料层表面形成

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114765127 A (43)申请公布日 2022.07.19 (21)申请号 202110057743.2 (22)申请日 2021.01.15 (71)申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限

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