peri-位化学修饰的苝衍生物功能分子及其制备和应用.pdfVIP

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2023-05-16 发布于四川
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peri-位化学修饰的苝衍生物功能分子及其制备和应用.pdf

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本发明属于光电材料领域，具体公开了peri‑位化学修饰的苝衍生物功能分子材料；主要为peri‑位单巯基或多巯基取代的苝衍生物功能分子材料以及peri‑位全卤代的苝衍生物功能分子材料。本发明还公开了所述的peri‑位化学修饰的苝衍生物功能分子材料的制备方法和应用方法。本发明构建peri‑位不同取代基的苝衍生物分子，在分子层次上调控有机共轭分子的电子结构，采用扫描隧穿断裂结技术(STM‑BJ)对其的电输运性质以及电输运性质‑结构关系进行了研究。可应用于有机单分子结器件等。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114773169 A (43)申请公布日 2022.07.22 (21)申请号 202210419667.X C07C 323/21 (2006.01)