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本发明公开了一种高纯氨基镓、铟、铝化合物的制备方法,属于半导体芯片技术领域,包括以下步骤:第一步、制备二甲基氨基锂正己烷悬浮液;第二步、制备三(二甲基氨基)镓二聚体粗品、三(二甲基氨基)铟二聚体粗品和三(二甲基氨基)铝二聚体粗品中一种;第三步、采用阶梯降温重结晶法纯化三(二甲基氨基)金属化合物粗品,得到高纯氨基镓、铟、铝化合物;本发明采用阶梯降温重结晶法纯化三(二甲基氨基)金属化合物粗品,不仅效率高且工艺简单,重结晶过程中产品结晶速度适中,不会形成杂质包裹,产品的晶形好,纯度≥99.9999%(
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116003459 A
(43)申请公布日 2023.04.25
(21)申请号 202310083071.1
(22)申请日 2023.02.08
(71)申请人 安徽博泰电子材料有限公司
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