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提供了用于形成三维(3D)存储设备的结构和方法的实施例。在一示例中，3D存储设备包括存储叠层、多个沟道结构和源极结构。存储叠层在衬底之上并且包括交错的多个导体层和多个绝缘层。源极结构包括多个源极接触部，以及多个源极接触部中的两个邻近源极接触部是通过连接层互相导电地连接的。连接层的一对第一部分在多个源极接触部中的两个邻近源极接触部之上，以及连接层的第二部分在多个源极接触部中的两个邻近源极接触部之间。连接层的该对第一部分的顶表面与连接层的第二部分的顶表面共面。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114743982 A
(43)申请公布日 2022.07.12
(21)申请号 202210505154.0 H01L 27/11582 (2017.01)
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