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本发明公开了一种碳化硅晶锭生长装置,涉及碳化硅晶锭技术领域,包括筒体,筒体内设有加热内胆,筒体上部设有盖体;筒体上贯穿设有多个投料管,投料管的一端穿过加热内胆延伸至加热内胆的内部,并固定有坩埚;多个坩埚在加热内胆的内部排布呈倒立的堆型结构;每个投料管上连接有储料箱,储料箱与投料管之间设有投料机构;盖体的下方设有可旋转的碳化硅晶锭生长板,碳化硅晶锭生长板的上方设有冷却槽。本发明还提出了一种碳化硅晶锭生长的方法,通过碳化硅与掺杂物质之间升华的方式生长出碳化硅晶锭。本发明可使碳化硅与掺杂剂进行同步升华
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114737249 A
(43)申请公布日 2022.07.12
(21)申请号 202210519335.9
(22)申请日 2022.05.13
(71)申请人 安徽微芯长江半导体材料有限公司
地址
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